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功能特點(diǎn)
A.一體化測試,集成度高、體積小、效率高
一臺儀器內置了LCR數字電橋、VGS電壓源、VDS電壓源、高低壓切換矩陣以及上位機軟件,將復雜的接線(xiàn)、繁瑣的操作集成在支持電容式觸摸的Linux系統內,操作更簡(jiǎn)單。特別適合產(chǎn)線(xiàn)快速化、自動(dòng)化測試。
B.單管器件測試,10.1寸大屏,四種寄生參數同屏顯示,讓細節一覽無(wú)遺
MOSFET或IGBT*重要的四個(gè)寄生參數:Ciss、Coss、Crss、Rg,Cies、Coes、Cres、Rg均可一鍵測試,10.1寸大屏可同時(shí)將測量結果、等效電路圖、分選結果等重要參數同時(shí)顯示,一目了然。
一鍵測試單管器件器件時(shí),無(wú)需頻繁切換測試腳位、測量參數、測量結果,大大提高了測試效率。
C.列表測試,多個(gè)、多芯、模組器件測量參數同屏顯示
TH510系列半導體C-V特性分析儀支持*多6個(gè)單管器件、6芯器件或6模組器件測試,所有測量參數通過(guò)列表掃描模式同時(shí)顯示測試結果及判斷結果。
D.曲線(xiàn)掃描功能(選件)
在MOSFET的參數中,CV特性曲線(xiàn)也是一個(gè)非常重要的指標,如下圖
TH510系列半導體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線(xiàn)分析,可以以對數、線(xiàn)性?xún)煞N方式實(shí)現曲線(xiàn)掃描,可同時(shí)顯示多條曲線(xiàn):同一參數、不同Vg的多條曲線(xiàn);同一Vg、不同參數多條曲線(xiàn)。
E.**的接觸檢查(Contact)功能,提前排除自動(dòng)化測試隱患
F.**的快速通斷測試(OP_SH),排除損壞器件
在半導體器件特性測試時(shí),由于半器件本身是損壞件,特別是多芯器件其中一個(gè)芯已經(jīng)損壞的情況下,測試雜散電容仍有可能被為合格,而半導體器件的導通特性才是*重要的特性。
因此,對于本身導通特性**的產(chǎn)品進(jìn)行C-V特性測試是完全沒(méi)有必要的,不僅僅浪費了測量時(shí)間,同時(shí)會(huì )由于C-V合格而混雜在良品里,導致成品出貨后被退回帶來(lái)?yè)p失.
TH510系列半導體C-V特性分析儀提供了快速通斷測試(OP_SH)功能,可用于直接判斷器件本身導通性能。
G.**模組式器件設置,支持定制
針對模組式器件如雙路(Dual)MOSFET、多組式IGBT,有些器件會(huì )有不同類(lèi)型芯片混合式封裝;TH510系列CV特性分析儀針對此情況做了優(yōu)化,常見(jiàn)模組式芯片Demo已內置,特殊芯片支持定制.
H.簡(jiǎn)單快捷設置
I.10檔分選及可編程HANDLER接口
J.支持定制化,智能固件升級方式
同惠儀器對于客戶(hù)而言是開(kāi)放的,儀器所有接口、指令集均為開(kāi)放設計,客戶(hù)可自行編程集成或進(jìn)行功能定制,定制功能若無(wú)硬件更改,可直接通過(guò)固件升級方式更新。
儀器本身功能完善、BUG解決、功能升級等,都可以通過(guò)升級固件(Firmware)來(lái)進(jìn)行更新,而無(wú)需返廠(chǎng)進(jìn)行。
固件升級非常智能,可以通過(guò)系統設置界面或者文件管理界面進(jìn)行,智能搜索儀器內存、外接優(yōu)盤(pán)甚至是局域網(wǎng)內升級包,并自動(dòng)進(jìn)行升級
K.獨特技術(shù)解決Ciss、Coss、Crss、Rg產(chǎn)線(xiàn)/自動(dòng)化系統高速測試精度
同惠電子在電容測試行業(yè)近30年的經(jīng)驗積累,得以在產(chǎn)線(xiàn)、自動(dòng)化測試等高速高精度測試場(chǎng)合,都能保證電容、電阻等測試精度。
常規產(chǎn)線(xiàn)測試,提供標準0米測試夾具,直插器件可直接插入進(jìn)行測試,Ciss、Coss、Crss、Rg測試精度高。
針對自動(dòng)化測試,由于自動(dòng)化設備測試工裝通常需要較長(cháng)連接線(xiàn),大多自動(dòng)化設備生產(chǎn)商在延長(cháng)測試線(xiàn)時(shí)會(huì )帶來(lái)很大的精度偏差,為此,同惠設計了獨特的2米延長(cháng)線(xiàn)并內置了2米校準,保證Ciss、Coss、Crss、Rg測試精度和0米測試夾具一致。
L.半導體元件寄生電容知識
在高頻電路中,半導體器件的寄生電容往往會(huì )影響半導體的動(dòng)態(tài)特性,所以在設計半導體元件時(shí)需要考慮下列因數
在高頻電路設計中往往需要考慮二極管結電容帶來(lái)的影響;MOS管的寄生電容會(huì )影響管子的動(dòng)作時(shí)間、驅動(dòng)能力和開(kāi)關(guān)損耗等多方面特性;寄生電容的電壓依賴(lài)性在電路設計中也是至關(guān)重要,以MOSFET為例。
M.標配附件
- 應用
-
■ 半導體元件/功率元件
二極管、三極管、MOSFET、IGBT、晶閘管、集成電路、光
電子芯片等寄生電容測試、C-V特性分析
■ 半導體材料
晶圓切割、C-V特性分析
■ 液晶材料
彈性常數分析
■電容元件
電容器C-V特性測試及分析,電容式傳感器測試分析
- 技術(shù)參數
-
產(chǎn)品型號
TH511
TH512
TH513
通道數
2(可選配4/6通道)
1
顯示
顯示器
10.1英寸(對角線(xiàn))電容觸摸屏
比例
16:9
分辨率
1280×RGB×800
測量參數
Ciss、Coss、Crss、Rg,四參數任意選擇
測試頻率
范圍
1kHz-2MHz
精度
0.01%
分辨率
10mHz 1.00000kHz-9.99999kHz
100mHz 10.0000kHz-99.9999kHz
1Hz 100.000kHz-999.999kHz
10Hz 1.00000MHz-2.00000MHz
測試電平
電壓范圍
5mVrms-2Vrms
準確度
±(10%×設定值+2mV)
分辨率
1mVrms 5mVrms-1Vrms
10mVrms 1Vrms-2Vrms
VGS電壓
范圍
0 - ±40V
準確度
1%×設定電壓+8mV
分辨率
1mV 0V - ±10V
10mV ±10V -±40V
VDS電壓
范圍
0 - ±200V
0 - ±1500V
0 - ±3000V
準確度
1%×設定電壓+100mV
輸出阻抗
100Ω,±2%@1kHz
數+*-算
與標稱(chēng)值的**偏差Δ,與標稱(chēng)值的百分比偏差Δ%
校準功能
開(kāi)路OPEN、短路SHORT、負載LOAD
測量平均
1-255次
AD轉換時(shí)間(ms/次)
快速+:2.5ms(>5kHz) 快速:11ms 中速:90ms 慢速:220ms
*高準確度
0.5%(具體參考說(shuō)明書(shū))
Ciss、Coss、Crss
0.00001pF - 9.99999F
Rg
0.001mΩ - 99.9999MΩ
Δ%
±(0.000% - 999.9%)
多功能參數列表掃描
點(diǎn)數
50點(diǎn),每個(gè)點(diǎn)可設置平均數,每個(gè)點(diǎn)可單獨分選
參數
測試頻率、Vg、Vd、通道
觸發(fā)模式
順序SEQ:當一次觸發(fā)后,在所有掃描點(diǎn)測量,/EOM/INDEX只輸出一次
步進(jìn)STEP:每次觸發(fā)執行一個(gè)掃描點(diǎn)測量,每點(diǎn)均輸出/EOM/INDEX,但列表掃描比較器結果只在*后的/EOM才輸出
圖形掃描
掃描點(diǎn)數
任意點(diǎn)可選,*多1001點(diǎn)
結果顯示
同一參數、不同Vg的多條曲線(xiàn);同一Vg、不同參數多條曲線(xiàn)
顯示范圍
實(shí)時(shí)自動(dòng)、鎖定
坐標標尺
對數、線(xiàn)性
掃描參數觸發(fā)方式
Vg、Vd
單次
手動(dòng)觸發(fā)一次,從起點(diǎn)到終點(diǎn)一次掃描完成,下個(gè)觸發(fā)信號啟動(dòng)新一次掃描
連續
從起點(diǎn)到終點(diǎn)無(wú)限次循環(huán)掃描
結果保存
圖形、文件
- 附件
標配 | |||||
配件名稱(chēng) | 型號 | ||||
測試夾具 | TH26063B | ||||
測試夾具 | TH26063C | ||||
TH510夾具控制連接電纜 | TH26063D | ||||
TH510測試延長(cháng)線(xiàn) | TH26063G |
選配 | |||||
配件名稱(chēng) | 型號 |